Se connecter
Se connecter
Mot de passe oublié ?
ou
Créer un compte
ou
Se connecter avec Facebook
Notifications
< Retour vers Les Mains dans le Cambouis
Agrandir
Les Mains dans le Cambouis
Forums thématiques
Les Mains dans le Cambouis
Actu 35 35
Articles 36 36
Médias 8 078 8,1k
Tutoriels Tutos 26 26
Forums 11 055 11,1k

Sujet Calcul de resistance base d'un transistor en commutation

  • 22 réponses
  • 5 participants
  • 17 359 vues
  • 4 followers
Sujet de la discussion Calcul de resistance base d'un transistor en commutation
Salut,
Je viens de mettre en ligne un petit utilitaire qui fait le calcul de la résistance de base d'un transistor en mode bloqué, saturé.
J'ai lu pas mal de tutos à ce sujet, mais je ne suis pas encore complètement sur de moi.
Est ce que quelqu'un pourrait vérifier que mon algo ne calcul pas de valeurs aberrantes svp?
http://eniacmusic.free.fr
Si vous avez d'autres idées d'utilitaires de ce style, et que vous me fournissez le schéma et le calcul, je peux envisager de le mettre en ligne.
A+
seba



http://barnsonic.com

2

Bonjour,

Ce serait mieux de nous fournir tes formules de calcul, tout simplement ....

[ Dernière édition du message le 21/05/2012 à 08:53:14 ]

3
très juste :

//Je commence par calculer le courant qui passe dans le collecteur
ic= (vcc-vceSat)/rRel;
//puis, j'en déduis le courant de base minimum nécessaire pour faire saturer le transistor :
ibMin=ic/hFe;
//J'y applique un coeff pour être sur que le transistor soit saturé (ici coeffSecurite=1.5)
ibSat=ibMin*coeffSecurite;
//Et j'en déduis la valeur de la résistance
r=(ve-vbeSat)/ibSat;

J'utilise ce calcul quel que soit le type de transistor, et c'est là que j'ai un doute.
j'ai vu plein de tuto sur le net qui concerne les transi npn, mais rien sur les transi pnp. Est ce que ce calcul est valable pour les pnp?

http://barnsonic.com

4

Bonjour,

A part le "coefficient de sécurité" un peu hasardeux, tout me semble correct.

Il serait intéressant d'inclure la puissance dissipée par le transistor, critère de choix très important.

5
Tu veux parler Vce x icsat ?

http://barnsonic.com

6

Oui, plus Ib x Vbe, quantité négligeable en général , mais pas toujours pour des cas de grosse puissance commutée.

[ Dernière édition du message le 23/05/2012 à 09:42:04 ]

7
J'ai rajouté la puissance consommée par le transistor, merci pour la remarque Phil.
que veux tu dire par coefficient de sécurité hasardeux?
Tu considères que 1.5 ce n'est pas suffisant?

http://barnsonic.com

8

Je voulais dire par "hasardeux" le fait qu'il est difficile de justifier 1,5.
Pourquoi pas 1,25 ou 1,68 ?
Surtout qu'en chauffant un transistor devient plus conducteur et que de fait le courant de base augmente.
Mais c'est un détail, et 1,5 est bien sécurisant pour une bonne saturation.

[ Dernière édition du message le 23/05/2012 à 16:02:21 ]

9
OK, merci.

http://barnsonic.com

10
Sinon avec un mos, pas de soucis de résistance de base, ça fait déjà ça de moins dans la BOM, et donc de courant de base ni de coefficient hasardeux ;)