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Sujet de la discussionPosté le 20/05/2012 à 21:38:16Calcul de resistance base d'un transistor en commutation
Salut,
Je viens de mettre en ligne un petit utilitaire qui fait le calcul de la résistance de base d'un transistor en mode bloqué, saturé.
J'ai lu pas mal de tutos à ce sujet, mais je ne suis pas encore complètement sur de moi.
Est ce que quelqu'un pourrait vérifier que mon algo ne calcul pas de valeurs aberrantes svp? http://eniacmusic.free.fr
Si vous avez d'autres idées d'utilitaires de ce style, et que vous me fournissez le schéma et le calcul, je peux envisager de le mettre en ligne.
A+
seba
Ce serait mieux de nous fournir tes formules de calcul, tout simplement ....
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[ Dernière édition du message le 21/05/2012 à 08:53:14 ]
seba
47
Nouvel·le AFfilié·e
Membre depuis 22 ans
3Posté le 22/05/2012 à 23:15:55
très juste :
//Je commence par calculer le courant qui passe dans le collecteur
ic= (vcc-vceSat)/rRel;
//puis, j'en déduis le courant de base minimum nécessaire pour faire saturer le transistor :
ibMin=ic/hFe;
//J'y applique un coeff pour être sur que le transistor soit saturé (ici coeffSecurite=1.5)
ibSat=ibMin*coeffSecurite;
//Et j'en déduis la valeur de la résistance
r=(ve-vbeSat)/ibSat;
J'utilise ce calcul quel que soit le type de transistor, et c'est là que j'ai un doute.
j'ai vu plein de tuto sur le net qui concerne les transi npn, mais rien sur les transi pnp. Est ce que ce calcul est valable pour les pnp?
0
http://barnsonic.com
Anonyme
4Posté le 23/05/2012 à 08:37:25
Bonjour,
A part le "coefficient de sécurité" un peu hasardeux, tout me semble correct.
Il serait intéressant d'inclure la puissance dissipée par le transistor, critère de choix très important.
0
seba
47
Nouvel·le AFfilié·e
Membre depuis 22 ans
5Posté le 23/05/2012 à 09:13:34
Tu veux parler Vce x icsat ?
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http://barnsonic.com
Anonyme
6Posté le 23/05/2012 à 09:41:30
Oui, plus Ib x Vbe, quantité négligeable en général , mais pas toujours pour des cas de grosse puissance commutée.
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[ Dernière édition du message le 23/05/2012 à 09:42:04 ]
seba
47
Nouvel·le AFfilié·e
Membre depuis 22 ans
7Posté le 23/05/2012 à 13:55:13
J'ai rajouté la puissance consommée par le transistor, merci pour la remarque Phil.
que veux tu dire par coefficient de sécurité hasardeux?
Tu considères que 1.5 ce n'est pas suffisant?
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http://barnsonic.com
Anonyme
8Posté le 23/05/2012 à 16:00:57
Je voulais dire par "hasardeux" le fait qu'il est difficile de justifier 1,5.
Pourquoi pas 1,25 ou 1,68 ?
Surtout qu'en chauffant un transistor devient plus conducteur et que de fait le courant de base augmente.
Mais c'est un détail, et 1,5 est bien sécurisant pour une bonne saturation.
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[ Dernière édition du message le 23/05/2012 à 16:02:21 ]
seba
47
Nouvel·le AFfilié·e
Membre depuis 22 ans
9Posté le 24/05/2012 à 05:37:08
OK, merci.
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http://barnsonic.com
mosben
152
Posteur·euse AFfiné·e
Membre depuis 14 ans
10Posté le 24/05/2012 à 10:03:00
Sinon avec un mos, pas de soucis de résistance de base, ça fait déjà ça de moins dans la BOM, et donc de courant de base ni de coefficient hasardeux