Conception d'un préampli micro
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WillBeAllRight
je suis en train de concevoir un préampli basé sur un transistor BC550 et un AOP Ne5532.
Je viens de finir de concevoir l'étage d'entrée et donc je suis passé à la simulation sous proteus et voilà ce que ça donne...

Je ne comprend pas bien ce qu'il se passe...
L'alimentation est de 30v.
Le transfo a un coef de couplage de 1.
Et d'après mes calcul ce circuit devait me donner un gain de 4.9
Je ne comprend pas ce qui se passe quelqu'un peut venir à mon secours?
Songs are soundtrack of your life...(Peace & love) http://3francs6sous.cowblog.fr
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WillBeAllRight
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Danguit
WillBeAllRight
La courbe en bleu représente d'ailleur la tension de base du transistors et elle est loin d'être nule...
Donc je ne pense pas que le problème vienne de là...
Cependant ce que je ne comprend pas c'est que l'amplitude du signal après le transfo est plus faible que l'amplitude du signal avant le transfo alors que le transfo à un rapport de transformation de 1.
j'ai laissé les caractéristiques du transfo tel quel, ca vient peut être de là, je vous copies ce qu'il y a marqué:
primary inductance: 10H
secondary inductance; 10H
coupling factor: 1
il y aurait-il quelque chose à changer?
Dans tout les cas en plus de ce problème le transistor ne réagit pas comme il faudrait... Car il y a un signal sinusoidale sur la base (en bleu) et rien en sortie (en vert).
Est-ce que j'ai fait une erreur dans ma manière de faire mon schéma ou de donner les caractéristiques des composants dans protéus, ou est-ce mon schéma qui est mauvais?
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Cpierredon
http://www.pierredon.free.fr
Anonyme
Grosse grosse erreur pour un concepteur en électronique
Et en plus le courant continu dans le transfo le sature magnétiquement ce que ta simulation ne te montre pas car elle considère le transfo comme "parfait".
Il faut se méfier des logiciels de simulations qui ne valent que ce que valent les modèles de composants!Il faut utiliser un grand nombre de paramètres pour les modèles, y compris les tolérances et les dérives en températures.
La simulation sert normalement à aller beaucoup plus loin dans l'analyse d'un schéma (sensibilité aux variations de composants ou d'alimentation).Le calcul du gain d'un étage à transistors se fait avec une simple calculatrice, ou même à la main.L'informatique ne remplacera jamais les connaissances de bases indispensables pour ne pas se faire berner par le logociel, la preuve ici...
Danguit
Anonyme
WillBeAllRight
Citation : il serait préférable de tenir compte de la self de fuite du transfo (=> K < 1) pour obtenir une bande passante plus réaliste (un plus serait d'incorporer également les capas parasites).
Tout à fait c'est prévu, mais cela se fait lorsque l'on a suffisamment de donner sur le transfo pour pouvoir calibrer la capa etc etc, et lorsque j'avais fait ce schéma je n'avais pas encore choisit le transfo que j'allait utiliser.
Citation : Ben oui, tel quel, ta résistance de base qui va vers la masse est cout-circuitée par ton transformateur.
Tu as tout à fait raison, désolé j'ai dis des conneries dans mon dernier messages, il faut effectivement mettre une capa en plus pour éviter le court circuit...
Citation : Et oui! le couplage avec le transfo doit être capacitif.
Grosse grosse erreur pour un concepteur en électronique
Concepteur est un bien grand mot pour le moment, je conçoit certe mais on va attendre que ca marche avant de m'appeler concepteur ^^
Je suis surtout élève et j'essaye de mettre en application ce qu'on m'enseigne. Des fois je négliges des choses et fait des erreurs et celà fait aussi parti de l'apprentissage...
Citation : Et en plus le courant continu dans le transfo le sature magnétiquement ce que ta simulation ne te montre pas car elle considère le transfo comme "parfait".
Pourrais-tu m'en dire plus s'il te plait?
On ne m'a jamais parlé de saturation magnétique pour un transfo... De quoi s'agit-il? Qu'est-ce qui provoque ça?
Je suppose que celà n'a rien avoir avec la "saturation" du transistor comme on l'entend d'habitude à savoir si Icq est supérieur ou égal à Icc...
Citation : l faut se méfier des logiciels de simulations qui ne valent que ce que valent les modèles de composants!Il faut utiliser un grand nombre de paramètres pour les modèles, y compris les tolérances et les dérives en températures.
La simulation sert normalement à aller beaucoup plus loin dans l'analyse d'un schéma (sensibilité aux variations de composants ou d'alimentation).Le calcul du gain d'un étage à transistors se fait avec une simple calculatrice, ou même à la main.L'informatique ne remplacera jamais les connaissances de bases indispensables pour ne pas se faire berner par le logiciel, la preuve ici...
Bien d'accord avec toi!
je ne fait pas confiances aux simulateurs..
C'est d'ailleur pour ca que comme tu peux le voir sur l'une des feuille que j'ai scanné, tous mes calculs sont fait à la main et à la calculette...
Je n'utilise la simulation uniquement après avoir tout calibrer sur la feuille...
Autre chose, j'ai fait part de mes intentions à l'un de mes profs, et il m'a déconseiller le BC550 pour ce genre d'application, en me disant qu'un transistors classique comme celui là pour l'étage d'entré a un trop grand bruit, et qu'il valait mieux que je m'oriente vers des FET.
N'ayant jamais étudier les FET, et partant du principe que 2 avis valent mieux qu'un, j'vous demande ce que vous en pensez.
merci de vos réponses en tout cas!
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Anonyme
La plupart des Fet sont plus bruyants que les bipolaires.Il suffit de regarder les specs pour s'en convaincre. Pareil pour les Aop: les meilleurs en niveau de bruit sont les bipolaires (type LT1028).
Les Fets sont utilisés uniquement lorsque l'on veut une très grande impédance d'entrée, et ce n'est pas le cas ici.
Pour les transfos:ils ont une limite de champ magnétique qui dépend du matériaux utilisé pour le noyau et de sa conception. Au delà de cette limite le noyau est "saturé" et le fonctionnement n'est plus linéaire.Le moindre courant continu entraine vite cet effet. On peut la limiter en créant un "entrefer"
dans le noyau. Mais je ne peux te faire un cours d'électromagnétisme en quelques lignes...
WillBeAllRight
Pour ce qui est de la satu du transfo effectivement tu as raison, mais bon par contre l'entrefer a aussi ses inconvénient et puis de toute façon ici il ne sera pas utile puisqu'on va mettre un condensateur de liaison juste après le transfo...
Pour la simulation je vais effectivement supprimer le transfo il n'est pas util pour la simulation... (du moins pour l'instant)
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WillBeAllRight
Plusieurs chose que j'ai du mal à comprendre dans ce résultat de simulation de montage à charge répartit.
Tout d'abord il n'y a pas de déphasage... Ne devrait-il pas y avoir un déphasage de pi entre l'entrée et la sortit sur l'émetteur du transistor?
Autre chose, ici le gain du circuit semble être inférieur à 1... Alors que le gain de ce montage est normalement définit par Av=Rc/Re donc ici Av=4.9
Où est l'erreur??
Merci de votre aide en tout cas!
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stéphanie martial
sur le premier schéma de la page 1, d'un point de vue DC la base est à la masse, non? le transfo est un fils (en dc, hein toujours), il n'y a pas de polaristion de la base, donc pas de fonctionnement possible ( du moins en alternatif), le condo juste derrière le transfo est indispensable ne serait-ce pour polarisé le transfo, peut-être.
stéphanie martial
stéphanie martial
théoriquement la tension à la base doit être de VCC/2 pour un fonctionnement optimale (dynamic max). mais c'est théorique
WillBeAllRight
Il s'agit ici d'un montage à charge répartie...
Quzand à la polarisation c'est un peu plus compliquer que Vb=vcc/2...
Ici (Rc+Re)*Ic représente le maximum d'une alternance et Vceq-Vcesat représente le maximum avant écrétage de l'autre alternance. pour avoir une polarisation optimale en terme d'amplitude maximale avant saturation (et non pas en terme de puissance) il faut remplir la condition (Rc+Re)*Ic=Vceq-Vcesat
Comme tu pourra le constater, ici c'est le cas!
Bon et pour le trasfo effectivement il faut un condo après, mais ça a déjà été dis...
Si quelqu'un a une autre idée...
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Anonyme
WillBeAllRight
Voilà t'inquiète phil je ne suis pas si têtu ^^
Juste un peu tête en l'air!
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WillBeAllRight
Donc voilà ce que j'obtient après quelques modifications:
Bon ya du mieux, par contre d'après les formules qu'on a démontré en cours le gain d'un circuit à charge répartit est égal à -Rc / Re ici donc - 10 / 2.039
d'où gain=-4.9
Or d'après le graphe de la simulation le gain ici ne serait que de -1.14
Une explication à cela?
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WillBeAllRight
La résistance d'entrée de 10k fait un pont diviseur de tension avec Rb=10k (r1r2/r1+r2) d'où la tension de sortie est 2 fois inférieur à ce que j'avais prévu. Si j'enlève cette résistance il n'y aura que la résistance interne du micro (200ohm) qui fera un pont diviseur de tension avec Rb. La chute de tension sera donc quasi négligeable...
Donc c'est le mieu d'un point de vue tension, mais il me semble que d'un point de vue puissance c'est moins bien... je ferai que
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WillBeAllRight
La résistance d'entrée de 10k fait un pont diviseur de tension avec Rb=10k (r1r2/r1+r2) d'où la tension de sortie est 2 fois inférieur à ce que j'avais prévu. Si j'enlève cette résistance il n'y aura que la résistance interne du micro (200ohm) qui fera un pont diviseur de tension avec Rb. La chute de tension sera donc quasi négligeable...
Donc c'est le mieu d'un point de vue tension, mais il me semble que d'un point de vue puissance c'est moins bien... je ferai quelques calculs pour voir...
Allez j'vais me mettre à faire la suite du montage...
Sinon Phil, je sait que le NE5532 est très utilisé dans le secteur audio, penses tu que le LT1028 sera meilleur niveau bruit et "musicalité" (transitoires) ?
En attendant j'vais chercher sa datasheet et voir ce que j'en sort..
Merci à tous!
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Anonyme
C'est fatigant de ne pas être lu à la fin...
WillBeAllRight
Donc je note ce qu'on me dit dans un coin de ma tête et après j'essaye de savoir pourquoi et de réfléchir par moi même...
Ceci dit merci de m'avoir mis sur la voie!
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stéphanie martial
Citation : Donc c'est le mieu d'un point de vue tension, mais il me semble que d'un point de vue puissance c'est moins bien...
est-ce que tu pense que la puissance doit-être intégralement transmise? je pensais que uniquement l'information de "tension" serai suffisante (impédance réceptrice=10*impédance émettrice contrairement à une transition de puissance où les deux impédances doivent être égale ).
WillBeAllRight
Donc hop on vire Ri ne fait plus 10k mais 200ohm (impédance du micro)
J'ai pas mal avancé sur le préampli, j'continu encore a faire quelques calculs et je passerai à la simulation du second étage.
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